2N5551RL1

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Features

• Pb−Free Packages are Available

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code

得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R

2N5551RL1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

2N5551RL1引脚图与封装图

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2N5551RL1	ON Semiconductor 安森美	放大器晶体管 Amplifier Transistors	搜索库存

替代型号2N5551RL1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N5551RL1 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： TO-92 NPN 160V 600mA	当前型号	放大器晶体管 Amplifier Transistors	当前型号
型号： 2N5551TA 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 160V 600mA 625mW	类似代替	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551TA 单晶体管双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 625 mW, 600 mA, 30 hFE	2N5551RL1和2N5551TA的区别
型号： 2N5551TF 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 160V 600mA 625mW	类似代替	NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。	2N5551RL1和2N5551TF的区别
型号： 2N5551TFR 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 160V 600mA 625mW	类似代替	2N5551 系列 160 V CE 击穿 0.6 A NPN 通用放大器 - TO-92	2N5551RL1和2N5551TFR的区别