2N5550RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 140 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N5550RLRA引脚图与封装图
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在线购买2N5550RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5550RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N5550RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5550RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： 2N5550G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE | 2N5550RLRA和2N5550G的区别 |
| 型号： 2N5550RLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA 625mW | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 2N5550RLRA和2N5550RLRPG的区别 |
| 型号： 2N5550RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 2N5550RLRA和2N5550RLRP的区别 |