2N4123RLRM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 200 mA
耗散功率 625 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 50 @2mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N4123RLRM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N4123RLRM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4123RLRM | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N4123RLRM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4123RLRM 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 30V 200mA | 当前型号 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MPS5172RLRMG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 25V 100mA 625mW | 功能相似 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon | 2N4123RLRM和MPS5172RLRMG的区别 |
| 型号： BC547B 品牌： Diotec Semiconductor 封装： TO-92 500mW | 功能相似 | Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 0.5W1/2W; TO92 | 2N4123RLRM和BC547B的区别 |
| 型号： TN6714A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-226 NPN 30V 2A | 功能相似 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 2N4123RLRM和TN6714A的区别 |