2N3055HG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 115 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3055HG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3055HG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3055HG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 15A | 当前型号 | TO-3 NPN 60V 15A | 当前型号 |
| 型号： 2N3055G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 15A 115000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N3055G 双极晶体管 | 2N3055HG和2N3055G的区别 |
| 型号： 2N3055H 品牌： Inchange Semiconductor 封装： | 功能相似 | Silicon NPN Power Transistor | 2N3055HG和2N3055H的区别 |