2SB1215T-E中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1215T-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SB1215T-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1215T-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 3A 100V | 搜索库存 |
替代型号2SB1215T-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1215T-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 PNP 20000mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 3A 100V | 当前型号 |
| 型号： 2SB1215T-H 品牌： 安森美 封装： TO-251 PNP | 类似代替 | TP PNP 100V 3A | 2SB1215T-E和2SB1215T-H的区别 |