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2SC4135S-TL-E

2SC4135S-TL-E

数据手册.pdf

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 100V 2A TPFA


欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V


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PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR high-VOLTAGE switching applications


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Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


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Trans GP BJT NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


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TRANS NPN 100V 2A TPFA / Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 2 A 120MHz 1 W Surface Mount TP-FA


2SC4135S-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 120 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 15 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 2.3 mm

高度 5.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SC4135S-TL-E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SC4135S-TL-E ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存