2SC3646S-P-TD-E中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 5V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-243
外形尺寸
封装 TO-243
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2SC3646S-P-TD-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SC3646S-P-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC3646S-P-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V | 搜索库存 |