2SA1419T-TD-E中文资料参数规格
技术参数
频率 120 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-243-3
外形尺寸
封装 TO-243-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA1419T-TD-E引脚图与封装图
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在线购买2SA1419T-TD-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SA1419T-TD-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 1.5A 160V | 搜索库存 |
替代型号2SA1419T-TD-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA1419T-TD-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT89-3 PNP 500mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 1.5A 160V | 当前型号 |
| 型号： 2SA1419S-TD-E 品牌： 安森美 封装： SOT-89 PNP 500mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2SA1419T-TD-E和2SA1419S-TD-E的区别 |