频率 100 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -2.00 A
额定功率 10 W
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 390
额定功率Max 10 W
直流电流增益hFE 82
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
2SB1182TLQ引脚图
2SB1182TLQ封装图
2SB1182TLQ封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SB1182TLQ | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SB1182TLQ 单晶体管 双极, PNP, 32 V, 100 MHz, 1 W, 2 A, 82 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2SB1182TLQ 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TO-252-3 PNP -32V -2A 10000mW | 当前型号 | ROHM 2SB1182TLQ 单晶体管 双极, PNP, 32 V, 100 MHz, 1 W, 2 A, 82 hFE | 当前型号 | |
型号: 2SB1182TLR 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-428 PNP -32V -2A | 类似代替 | 中等功率晶体管( 32V , 2A ) Medium power transistor 32V,2A | 2SB1182TLQ和2SB1182TLR的区别 |