2SB1216S-E中文资料参数规格
技术参数
频率 180 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Suitable for relay drivers, General high-current switching applications, High-speed inverters and converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1216S-E引脚图与封装图
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在线购买2SB1216S-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1216S-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SB1216S-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1216S-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 PNP 1000mW | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SB1216S-TL-H 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP | 完全替代 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 2SB1216S-E和2SB1216S-TL-H的区别 |
| 型号： 2SB1216S-H 品牌： 安森美 封装： TO-251 PNP 1000mW | 类似代替 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 2SB1216S-E和2SB1216S-H的区别 |
| 型号： 2SB1216S-TL-E 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP 1W | 功能相似 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2SB1216S-E和2SB1216S-TL-E的区别 |