2N7002E

Panasonic(松下) 分立器件

MOSFET N-CH 60V 300mA SOT23

表面贴装型 N 通道 60 V 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

贸泽:
MOSFET Nch MOSFET 60V 0.3A RDSon=3ohms SOT-23

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin NMini3-R1-B

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

2N7002E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 40pF @10VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2N7002E引脚图与封装图

2N7002E引脚图

2N7002E封装图

2N7002E封装焊盘图

在线购买2N7002E

型号	制造商	描述	购买
2N7002E	Panasonic 松下	MOSFET N-CH 60V 300mA SOT23	搜索库存

替代型号2N7002E

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N7002E 品牌： Panasonic 松下封装： TO-236	当前型号	MOSFET N-CH 60V 300mA SOT23	当前型号
型号： 2N7000 品牌： NTE Electronics 封装： N-Channel	类似代替	NTE ELECTRONICS 2N7000 MOSFET Transistor, N Channel, 200mA, 60V, 1.2Ω, 10V, 800mV	2N7002E和2N7000的区别
型号： BSS138-7-F 品牌：美台封装： SOT-23-3 N-Channel 50V 200mA 1.4Ω 50pF	功能相似	N沟道增强型场效应晶体管低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出漏	2N7002E和BSS138-7-F的区别
型号： BSS123TA 品牌：美台封装： SOT-23-3 N-Channel 100V 170mA 6Ω	功能相似	DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V	2N7002E和BSS123TA的区别