2N6517G

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

高电压晶体管 High Voltage Transistors

Features

• Voltage and Current are Negative for PNP Transistors

• Pb−Free Package is Available

得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Box

TME:
Transistor NPN 350V 0.5A 0.625W >4 TO92

2N6517G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

额定功率 625 mW

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6517G引脚图与封装图

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在线购买2N6517G

型号	制造商	描述	购买
2N6517G	ON Semiconductor 安森美	高电压晶体管 High Voltage Transistors	搜索库存

替代型号2N6517G

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N6517G 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： TO-92 N-Channel 350V 500mA 625mW	当前型号	高电压晶体管 High Voltage Transistors	当前型号
型号： 2N6517TA 品牌：安森美封装： TO-92-3 625mW	类似代替	ON Semiconductor 2N6517TA , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=350 V, HFE:15, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装	2N6517G和2N6517TA的区别
型号： 2N6517BU 品牌：飞兆/仙童封装： TO-92 NPN 350V 500mA 625mW	功能相似	NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。	2N6517G和2N6517BU的区别
型号： MPSA42 品牌：安森美封装： TO-92 NPN 300V 500mA 625mW	功能相似	高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorsNPN Silicon	2N6517G和MPSA42的区别