2N3903RLRM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N3903RLRM引脚图与封装图
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在线购买2N3903RLRM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3903RLRM | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N3903RLRM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3903RLRM 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 40V 200mA | 当前型号 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： 2N3903 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 100mA 625mW | 功能相似 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 2N3903RLRM和2N3903的区别 |