额定电压DC -40.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N4403RLG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -40V -600mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 40V PNP | 当前型号 | |
型号: 2N4403TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -40V -600mA 625mW | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4403TA 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 20 hFE | 2N4403RLG和2N4403TA的区别 | |
型号: 2N4403TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -40V -600mA 625mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 2N4403RLG和2N4403TF的区别 | |
型号: 2N4403G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -40V -600mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N4403G 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 200 hFE | 2N4403RLG和2N4403G的区别 |