2N3906ZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N3906ZL1G引脚图与封装图
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在线购买2N3906ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3906ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | TO-92 PNP 40V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号2N3906ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3906ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP 40V 200mA | 当前型号 | TO-92 PNP 40V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： 2N3906BU 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | 小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N3906ZL1G和2N3906BU的区别 |
| 型号： 2N3906TFR 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | ON Semiconductor 2N3906TFR , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:60, 250 MHz, 3引脚 TO-92封装 | 2N3906ZL1G和2N3906TFR的区别 |
| 型号： 2N3906TF 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 625mW | 完全替代 | 小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N3906ZL1G和2N3906TF的区别 |