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2N6341G

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS NPN 150V 25A TO-3


立创商城:
2N6341G


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 12 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 25A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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# ON SEMICONDUCTOR  2N6341G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 150 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE


罗切斯特:
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2N6341G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC 150 V

额定电流 25.0 A

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 30 @10A, 2V

最大电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6341G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N6341G ON Semiconductor 安森美 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors 搜索库存
替代型号2N6341G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6341G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 NPN 150V 25A 200000mW

当前型号

高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

当前型号

型号: 2N6341

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 150V 25A 200W

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高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

2N6341G和2N6341的区别

型号: 2N6284G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 100V 20A 160000mW

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