2N5322
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N5322中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
极性 PNP
耗散功率 10 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 75 V
最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 4V
额定功率Max 10 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5322引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N5322
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5322 | Central Semiconductor | 2N Series 75V 2A PNP Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-39 | 搜索库存 |
替代型号2N5322
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5322 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-39 PNP | 当前型号 | 2N Series 75V 2A PNP Through Hole Silicon Switching Transistor - TO-39 | 当前型号 |
| 型号： 2N5322LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-39 PNP 75V 2A | 2N5322和2N5322LEADFREE的区别 |