2SK4124-1E中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 1200pF @30VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 170W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK4124-1E引脚图与封装图
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在线购买2SK4124-1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK4124-1E | ON Semiconductor 安森美 | TO-3P N-CH 500V 20A | 搜索库存 |
替代型号2SK4124-1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK4124-1E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3P-3 N-CH 500V 20A | 当前型号 | TO-3P N-CH 500V 20A | 当前型号 |