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2N5302G

ON SEMICONDUCTOR  2N5302G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 30 A 2MHz 200 W 通孔 TO-204(TO-3)


得捷:
TRANS NPN 60V 30A TO204


立创商城:
2N5302G


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Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN


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Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray


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TRANS NPN 60V 30A TO204 / Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 30 A 2MHz 200 W Through Hole TO-204 TO-3


2N5302G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 30.0 A

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 200 W

增益频宽积 2 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 30A

最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 2V

最大电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 200 W

直流电流增益hFE 2

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-204-2

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 26.67 mm

高度 8.51 mm

封装 TO-204-2

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N5302G引脚图与封装图
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在线购买2N5302G
型号 制造商 描述 购买
2N5302G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N5302G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE 搜索库存
替代型号2N5302G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N5302G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-3 NPN 60V 30A 200000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N5302G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE

当前型号

型号: 2N3442G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 140V 10A 117000mW

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ON SEMICONDUCTOR  2N3442G  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 80 kHz, 117 W, 10 A, 7.5 hFE 新

2N5302G和2N3442G的区别

型号: 2N5038G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 90V 20A 140000mW

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型号: 2N3771G

品牌: 安森美

封装: TO-3 NPN 40V 30A 150000mW

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