2SK4066-1E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.65 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 630 ns
输入电容Ciss 12500pF @20VVds
下降时间 750 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.65W Ta, 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SK4066-1E引脚图与封装图
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在线购买2SK4066-1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK4066-1E | ON Semiconductor 安森美 | SMP N-CH 60V 100A | 搜索库存 |
替代型号2SK4066-1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK4066-1E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SMP N-CH 60V 100A | 当前型号 | SMP N-CH 60V 100A | 当前型号 |
| 型号： 40661 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | 2SK4066-1E和40661的区别 |