2N5885G中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 0.875℃/W RθJC
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 4
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5885G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5885G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5885G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 600mA 200000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N5885G. 双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： 2N5886G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 80V 25A 200000mW | 类似代替 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2N5885G和2N5886G的区别 |
| 型号： TIP100G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 60V 8A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR TIP100G 达林顿双极晶体管 | 2N5885G和TIP100G的区别 |
| 型号： 2N6490G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP 60V 15A 1800mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6490G 双极晶体管 | 2N5885G和2N6490G的区别 |