2SJ661-DL-1E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.65W Ta, 65W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 285 ns
输入电容Ciss 4360pF @20VVds
下降时间 195 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.65W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SJ661-DL-1E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SJ661-DL-1E
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor 安森美 | P沟道 60V 38A | 搜索库存 |
替代型号2SJ661-DL-1E
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2SJ661-DL-1E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: D2PAK P-CH 60V 38A | 当前型号 | P沟道 60V 38A | 当前型号 | |
型号: 2SJ661 品牌: 安森美 封装: | 类似代替 | P-Channel Power MOSFET, -60V, -38A, 39mΩ, TO-262-3L/TO-263-2L | 2SJ661-DL-1E和2SJ661的区别 |