2SC5455-T1-A
数据手册.pdf
California Eastern Laboratories
分立器件
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 6 V
增益 10 dB
最小电流放大倍数hFE 75 @30mA, 3V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 TO-253-4
封装 TO-253-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SC5455-T1-A | California Eastern Laboratories | Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 200mW | 搜索库存 |