2SD1060S-1EX中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 30 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 140 @1A, 2V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.2 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2SD1060S-1EX引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SD1060S-1EX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1060S-1EX | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V | 搜索库存 |
替代型号2SD1060S-1EX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1060S-1EX 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220AB-3 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V | 当前型号 |
| 型号： 2SD1060S-1E 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 17500mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 5A 50V | 2SD1060S-1EX和2SD1060S-1E的区别 |