2SK3820-DL-1E

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

N-Channel Power MOSFET 100V, 26A, 60mΩ, TO-263-2L

表面贴装型 N 通道 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2

贸泽:
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 26A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

2SK3820-DL-1E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.65W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2150pF @20VVds

耗散功率Max 1.65W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3820-DL-1E引脚图与封装图

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2SK3820-DL-1E	ON Semiconductor 安森美	N-Channel Power MOSFET 100V, 26A, 60mΩ, TO-263-2L	搜索库存