2SD1060R-1E中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
极性 NPN
耗散功率 17.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 2V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SD1060R-1E引脚图与封装图
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在线购买2SD1060R-1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1060R-1E | ON Semiconductor 安森美 | 2SD1060: 双极晶体管，50V，5A，低 VCEsat，NPN TO-220-3L | 搜索库存 |
替代型号2SD1060R-1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1060R-1E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 NPN | 当前型号 | 2SD1060: 双极晶体管，50V，5A，低 VCEsat，NPN TO-220-3L | 当前型号 |
| 型号： 2SD1060R-1EX 品牌： 安森美 封装： NPN | 完全替代 | NPN 50V 5A | 2SD1060R-1E和2SD1060R-1EX的区别 |