2SA2039-H中文资料参数规格
技术参数
频率 360 MHz
极性 PNP
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 200
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 DC-DC converter, Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA2039-H引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SA2039-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SA2039-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 PNP 800mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 5A 50V | 当前型号 |
| 型号： 2SA2039-E 品牌： 安森美 封装： TP PNP 800mW | 类似代替 | 双极型晶体管（ - ） 50V ，（ - ） 5A，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA | 2SA2039-H和2SA2039-E的区别 |
| 型号： 2SB1203T-H 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP 1000mW | 类似代替 | TP PNP 50V 5A | 2SA2039-H和2SB1203T-H的区别 |
| 型号： 2SB1203T-E 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP | 类似代替 | TP PNP 50V 5A | 2SA2039-H和2SB1203T-E的区别 |