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2SC6098-TL-E

2SC6098-TL-E

数据手册.pdf

TP-FA NPN 80V 2.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 2.5A 350MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA


得捷:
TRANS NPN 80V 2.5A TPFA


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NPN 80V 2.5A


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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V


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Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


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Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


2SC6098-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 350 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 2.5A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC6098-TL-E引脚图与封装图
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在线购买2SC6098-TL-E
型号 制造商 描述 购买
2SC6098-TL-E ON Semiconductor 安森美 TP-FA NPN 80V 2.5A 搜索库存
替代型号2SC6098-TL-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC6098-TL-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-252 NPN 800mW

当前型号

TP-FA NPN 80V 2.5A

当前型号

型号: 2SC6098-E

品牌: 安森美

封装: TO-251 NPN 800mW

完全替代

TP NPN 80V 2.5A

2SC6098-TL-E和2SC6098-E的区别