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2SC5706-TL-H

2SC5706-TL-H

数据手册.pdf

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


得捷:
TRANS NPN 50V 5A TPFA


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2SC5706-TL-H


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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V


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Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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ON Semi 2SC5706-TL-H NPN Bipolar Transistor, 5 A, 50 V, 4-Pin TP-FA


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Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


2SC5706-TL-H中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

增益频宽积 400 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 直流/直流转换器, 照明

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

2SC5706-TL-H引脚图与封装图
2SC5706-TL-H引脚图

2SC5706-TL-H引脚图

2SC5706-TL-H封装焊盘图

2SC5706-TL-H封装焊盘图

在线购买2SC5706-TL-H
型号 制造商 描述 购买
2SC5706-TL-H ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号2SC5706-TL-H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC5706-TL-H

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TP-FA NPN 800mW

当前型号

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: 2SC5706-TL-E

品牌: 安森美

封装: TP-FA N-Channel 800mW

类似代替

双极型晶体管( - ) 50V ,( - ) 5A,低VCE (饱和),( PNP)的NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA

2SC5706-TL-H和2SC5706-TL-E的区别

型号: 2SD1803T-TL-E

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 NPN 1000mW

类似代替

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

2SC5706-TL-H和2SD1803T-TL-E的区别

型号: 2SD1803T-TL-H

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 NPN

类似代替

PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

2SC5706-TL-H和2SD1803T-TL-H的区别