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2N6035G

2N6035G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  2N6035G  双极性晶体管

The Power 4 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

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 |

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High DC Current Gain -

hFE = 2000 Typ @ IC = 2.0 Adc

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Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc

VCEOsus = 60 Vdc Min - 2N6035, 2N6038

VCEOsus = 80 Vdc Min - 2N6036, 2N6039

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Forward Biased Second Breakdown Current Capability

IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc

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Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter

Resistors to Limit Leakage Multiplication

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Space-Saving High Performance-to-Cost Ratio

TO-225AA Plastic Package

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Pb-Free Packages are Available
2N6035G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 15000

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6035G引脚图与封装图
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在线购买2N6035G
型号 制造商 描述 购买
2N6035G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N6035G  双极性晶体管 搜索库存
替代型号2N6035G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N6035G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225-3 PNP -60V 4A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N6035G  双极性晶体管

当前型号

型号： BD678AG

品牌： 安森美

封装： TO-225 PNP -60V 4A 40000mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BD678AG.  双极性晶体管

2N6035G和BD678AG的区别

型号： BD678AS

品牌： 安森美

封装： TO-126-3 14000mW

类似代替

Trans Darlington PNP 60V 4A 14000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag

2N6035G和BD678AS的区别

型号： TIP32CG

品牌： 安森美

封装： TO-220AB PNP -100V -3A 2000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

2N6035G和TIP32CG的区别