2SC6098-E中文资料参数规格
技术参数
频率 350 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 2.5A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC6098-E引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SC6098-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC6098-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 NPN 800mW | 当前型号 | TP NPN 80V 2.5A | 当前型号 |