2SB1203S-E中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
制造应用 Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1203S-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SB1203S-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1203S-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SB1203S-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1203S-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TP PNP | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SB1203S-H 品牌： 安森美 封装： TO-251 PNP 1000mW | 完全替代 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 2SB1203S-E和2SB1203S-H的区别 |
| 型号： 2SB1203S-TL-H 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP 1W | 完全替代 | 双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, â5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA | 2SB1203S-E和2SB1203S-TL-H的区别 |
| 型号： 2SB1203S-TL-E 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 PNP 1000mW | 功能相似 | 通用 PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 2SB1203S-E和2SB1203S-TL-E的区别 |