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2SC4134T-TL-E

2SC4134T-TL-E

数据手册.pdf

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 1A 120MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA


得捷:
TRANS NPN 100V 1A TP-FA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1A 100V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


Win Source:
TRANS NPN 100V 1A TP-FA / Bipolar BJT Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Surface Mount TP-FA


2SC4134T-TL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC4134T-TL-E引脚图与封装图
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