频率 180 MHz
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Suitable for relay drivers, General high-current switching applications, High-speed inverters and converters
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2SB1216T-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2SB1216T-E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-251 PNP 1000mW | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 | |
型号: 2SB1216T-H 品牌: 安森美 封装: TO-251 PNP 1000mW | 完全替代 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 2SB1216T-E和2SB1216T-H的区别 | |
型号: 2SB1216T-TL-H 品牌: 安森美 封装: TO-252 PNP | 完全替代 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 2SB1216T-E和2SB1216T-TL-H的区别 |