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2N6107G

ON SEMICONDUCTOR  2N6107G  射频双极晶体管

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 70V 7A TO220


欧时:
### PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 7A 70V 40W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -70 V, 10 MHz, 40 W, -7 A, 30 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi 2N6107G PNP Bipolar Transistor; 10 A; 70 V; 4-Pin TO-220AB


安富利:
Trans GP BJT PNP 70V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 70V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 70V; 7A; 40W; TO220AB


Verical:
Trans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N6107G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 70 V, 10 MHz, 40 W, 7 A, 4 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 70V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


2N6107G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC -70.0 V

额定电流 -7.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 70 V

热阻 3.125℃/W RθJC

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 30 @2A, 4V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 4

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N6107G引脚图与封装图
2N6107G封装焊盘图

2N6107G封装焊盘图

在线购买2N6107G
型号 制造商 描述 购买
2N6107G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N6107G  射频双极晶体管 搜索库存
替代型号2N6107G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N6107G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220-3 PNP -70V -7A 40000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N6107G  射频双极晶体管

当前型号

型号: 2N6107

品牌: 安森美

封装: TO-220 Dual P-Channel -70V -7A 40000mW

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