2SD1803T-H中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1803T-H引脚图与封装图
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在线购买2SD1803T-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1803T-H | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SD1803T-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1803T-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SD1803T-E 品牌： 安森美 封装： TO-251-3 NPN 1000mW | 完全替代 | 双极晶体管50V ， （A ????） 5A ，低VCE （SAT） ， （ PNP ） NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 50V, â5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA | 2SD1803T-H和2SD1803T-E的区别 |
| 型号： 2SC5706-E 品牌： 安森美 封装： TO-251 NPN 800mW | 类似代替 | 双极型晶体管（ - ） 50V ，（ - ） 5A，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA | 2SD1803T-H和2SC5706-E的区别 |
| 型号： 2SC5706-H 品牌： 安森美 封装： TO-251 NPN 800mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2SC5706-H Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE 新 | 2SD1803T-H和2SC5706-H的区别 |