2SB1203T-E中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1203T-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SB1203T-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1203T-E | ON Semiconductor 安森美 | TP PNP 50V 5A | 搜索库存 |
替代型号2SB1203T-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1203T-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 PNP | 当前型号 | TP PNP 50V 5A | 当前型号 |
| 型号： 2SB1203T-H 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP 1000mW | 完全替代 | TP PNP 50V 5A | 2SB1203T-E和2SB1203T-H的区别 |
| 型号： 2SA2039-E 品牌： 安森美 封装： TP PNP 800mW | 类似代替 | 双极型晶体管（ - ） 50V ，（ - ） 5A，低VCE （饱和），（ PNP）的NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor -50V, -5A, Low VCEsat, PNPNPN Single TP/TP-FA | 2SB1203T-E和2SA2039-E的区别 |
| 型号： 2SA2039-H 品牌： 安森美 封装： TO-251 PNP 800mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 5A 50V | 2SB1203T-E和2SA2039-H的区别 |