2SD1803S-E中文资料参数规格
技术参数
频率 180 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 140 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 2.3 mm
高度 7 mm
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SD1803S-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SD1803S-E | ON Semiconductor 安森美 | TP NPN 50V 5A | 搜索库存 |