2SC4135T-E中文资料参数规格
技术参数
频率 120 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SC4135T-E引脚图与封装图
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在线购买2SC4135T-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC4135T-E | ON Semiconductor 安森美 | 2SC4135: 双极晶体管，-100V，-2A，低饱和压，PNPNPN 单 TP/TP-FA | 搜索库存 |
替代型号2SC4135T-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC4135T-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 NPN 1000mW | 当前型号 | 2SC4135: 双极晶体管，-100V，-2A，低饱和压，PNPNPN 单 TP/TP-FA | 当前型号 |
| 型号： 2SC4489T-AN 品牌： 安森美 封装： SC-71 NPN 1000mW | 完全替代 | NMP NPN 100V 2A | 2SC4135T-E和2SC4489T-AN的区别 |