![2SD1805F-E](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_504/chanpintu/2sd1805f-e-4rNjELWI-2jwgel1jg.png)
2SD1805F-E中文资料参数规格
技术参数
频率 120 MHz
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 160 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1805F-E引脚图与封装图
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在线购买2SD1805F-E
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SD1805F-E | ON Semiconductor 安森美 | TP NPN 20V 5A | 搜索库存 |
替代型号2SD1805F-E
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SD1805F-E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-251 NPN 1W | 当前型号 | TP NPN 20V 5A | 当前型号 |