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2SC5707-E

ON SEMICONDUCTOR  2SC5707-E  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor for high-current switching application.

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Adoption of FBET and MBIT Process
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Large Current Capacitance
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High Speed Switching
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High Allowable Power Dissipation
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Low Collector-to-emitter Saturation Voltage
2SC5707-E中文资料参数规格
技术参数

频率 330 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

2SC5707-E引脚图与封装图
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在线购买2SC5707-E
型号 制造商 描述 购买
2SC5707-E ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2SC5707-E  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号2SC5707-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC5707-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-251-3 NPN 1000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2SC5707-E  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE

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