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2SC5706-H

2SC5706-H

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ON SEMICONDUCTOR  2SC5706-H  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE 新

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, "s NPN general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

2SC5706-H中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

额定功率Max 800 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

2SC5706-H引脚图与封装图
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在线购买2SC5706-H
型号 制造商 描述 购买
2SC5706-H ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2SC5706-H  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE 新 搜索库存
替代型号2SC5706-H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2SC5706-H

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-251 NPN 800mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2SC5706-H  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A, 200 hFE 新

当前型号

型号： 2SC5706-E

品牌： 安森美

封装： TO-251 NPN 800mW

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2SC5706-H和2SC5706-E的区别

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型号： 2SD1803T-H

品牌： 安森美

封装： TO-251 NPN

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