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2SA2016-TD-E

2SA2016-TD-E

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DC / DC转换器应用 DC / DC Converter Applications

- 双极 BJT - 单 PNP 330MHz 表面贴装型 PCP


得捷:
TRANS PNP 50V 7A PCP


立创商城:
双极晶体管,-50V,-7A,低 VCE sat, PNPNPN 单 PCP


艾睿:
If your circuit&s;s specifications require a device that can handle high levels of voltage, ON Semiconductor&s;s PNP 2SA2016-TD-E general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1300 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 4-Pin3+Tab PCP T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 7A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS PNP 50V 7A SOT89-3


2SA2016-TD-E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 7A

最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 3.5 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Relay drivers, Lamp drivers, Motor drivers, Flash

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

2SA2016-TD-E引脚图与封装图
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型号: 2SA2016-TD-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-89-3 PNP 1300mW

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