2SB1124T-TD-H中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SC-62-3
外形尺寸
封装 SC-62-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SB1124T-TD-H引脚图与封装图
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在线购买2SB1124T-TD-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SB1124T-TD-H | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号2SB1124T-TD-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SB1124T-TD-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-62 PNP 0.5W | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |
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| 型号： 2SB1124T-TD-E 品牌： 安森美 封装： PCP PNP 500mW | 功能相似 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 2SB1124T-TD-H和2SB1124T-TD-E的区别 |
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