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2N4921G

ON SEMICONDUCTOR  2N4921G  双极晶体管

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 40V 1A TO126


立创商城:
NPN 40V 1A


欧时:
ON Semiconductor 2N4921G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 MHz, 3引脚 TO-225封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
TRANS NPN 40V 1A TO225AA


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2N4921G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


2N4921G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

热阻 4.16℃/W RθJC

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 150

额定功率Max 30 W

直流电流增益hFE 3

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N4921G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N4921G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  2N4921G  双极晶体管 搜索库存
替代型号2N4921G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N4921G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225-3 NPN 40V 1A 30000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  2N4921G  双极晶体管

当前型号

型号: 2N4921

品牌: 安森美

封装: TO-225AA NPN 40V 1A

完全替代

中等功率塑料NPN硅晶体管 Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors

2N4921G和2N4921的区别

型号: NTE184

品牌: NTE Electronics

封装: TO-126 NPN

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE184  双极性功率晶体管

2N4921G和NTE184的区别