2SD1207U中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 280 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400 @100mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1207U引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SD1207U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1207U 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 50V 2A 3Pin Case MP | 当前型号 |
| 型号： BC179B 品牌： Continental Device 封装： | 功能相似 | 0.6W General Purpose PNP Metal Can Transistor. 20V Vceo, 0.2A Ic, 180 - 460 hFE | 2SD1207U和BC179B的区别 |