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2SA2127-AE

2SA2127-AE

数据手册.pdf

PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 50V 2A 3MP


欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin Case MP Box


Allied Electronics:
ON Semi 2SA2127-AE PNP Bipolar Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin MP


Win Source:
TRANS PNP 50V 2A 3MP / Bipolar BJT Transistor PNP 50 V 2 A 420MHz 1 W Through Hole 3-MP


2SA2127-AE中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.7 mm

高度 8.5 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA2127-AE引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SA2127-AE ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 搜索库存