2SC6099-E中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC6099-E引脚图与封装图
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在线购买2SC6099-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC6099-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管100V ， 2A ，低VCE （SAT） ， NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCEsat, NPN Single TP/TP-FA | 搜索库存 |
替代型号2SC6099-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC6099-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251 NPN | 当前型号 | 双极晶体管100V ， 2A ，低VCE （SAT） ， NPN单TP / TP -FA Bipolar Transistor 100V, 2A, Low VCEsat, NPN Single TP/TP-FA | 当前型号 |