2SD1683T中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SD1683T引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SD1683T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SD1683T 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-126ML NPN 1500mW | 当前型号 | 双极晶体管 Bipolar Transistor | 当前型号 |
| 型号： 2SD1683S 品牌： 安森美 封装： TO-126ML NPN 1500mW | 类似代替 | On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2SD1683T和2SD1683S的区别 |