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2SB1202T-TL-E

2SB1202T-TL-E

数据手册.pdf

PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor 2SB1202T-TL-E , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:35, 150 MHz, 3引脚 TP-FA封装


得捷:
TRANS PNP 50V 3A TPFA


立创商城:
NPN 50V 3A


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 150 MHz, 15 W, -3 A, 200 hFE


艾睿:
The versatility of this PNP 2SB1202T-TL-E GP BJT from ON Semiconductor makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi 2SB1202T-TL-E PNP Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin TP-FA


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin2+Tab TP-FA T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
TRANS PNP 50V 3A TP-FA


2SB1202T-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Various driversrelay,lamp,motor,etc.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SB1202T-TL-E引脚图与封装图
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在线购买2SB1202T-TL-E
型号 制造商 描述 购买
2SB1202T-TL-E ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号2SB1202T-TL-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SB1202T-TL-E

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-252-3 PNP 1000mW

当前型号

PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: 2SA2126-TL-H

品牌: 安森美

封装: TO-252 PNP 800mW

类似代替

PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

2SB1202T-TL-E和2SA2126-TL-H的区别

型号: 2SA2126-S-TL-E

品牌: 安森美

封装: TP-FA PNP 0.8W

类似代替

TP-FA PNP 50V 3A

2SB1202T-TL-E和2SA2126-S-TL-E的区别

型号: 2SA2126-TL-E

品牌: 安森美

封装: TP-FA PNP 800mW

类似代替

PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

2SB1202T-TL-E和2SA2126-TL-E的区别